光耦合器和基于硅的電流隔離技術(shù)–它們?nèi)绾喂ぷ鳎?/h1>

更新時(shí)間   2020-09-07 14:15:28 深圳市克里雅半導(dǎo)體有限公司 閱讀

電防護(hù)是和人或別的電源電路聯(lián)接的全部電子產(chǎn)品的必需維護(hù)方式，以避免很有可能產(chǎn)生的數(shù)十伏到好幾千伏的髙壓惡性事件。光耦隔離做為一種維護(hù)方式，規(guī)定2個(gè)電源電路中間根據(jù)絕緣層或防護(hù)天然屏障開展通訊，以避免電流量立即在電源電路中間流動(dòng)性。
過去的幾十年中，用以防護(hù)電源電路的技術(shù)性早已從根據(jù)電子光學(xué)的技術(shù)性變化為根據(jù)硅的技術(shù)性-可是這種技術(shù)性確實(shí)有什么不一樣?
光耦合器在應(yīng)用場(chǎng)景中怎樣工作中?
如下圖所示，光耦合器由一個(gè)鍵入LED，一個(gè)接受光電探測(cè)器和一個(gè)輸出控制器構(gòu)成?？刂破麟娫措娐泛蚅ED電源電路一般 應(yīng)用相輔相成氫氧化物半導(dǎo)體材料(CMOS)技術(shù)性搭建，絕緣層或隔離層一般 由模塑膠構(gòu)成。光耦合器信號(hào)隔離器的鍵入和輸出都必須根據(jù)陽極氧化和集電結(jié)腳位聯(lián)接的單獨(dú)電壓源，及其一般 在負(fù)極和發(fā)射極腳位處聯(lián)接的單獨(dú)接地裝置，以維持鍵入和輸出中間的數(shù)據(jù)信號(hào)防護(hù)。
當(dāng)釋放的CMOS邏輯性鍵入造成鍵入側(cè)電流量時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生光耦合器內(nèi)的通訊，隨后，該電流量會(huì)造成占比的LED輸出，以根據(jù)模塑膠阻擋層傳送到接受光電探測(cè)器并輸出。
光耦合器的防護(hù)特性在于LED，鍵入和輸出中間應(yīng)用的模塑膠及其模塑膠中間的間距。因?yàn)槟Ｋ苣z是防護(hù)天然屏障抗壓強(qiáng)度的首要條件，因而其品質(zhì)在光耦合器的使用壽命，可信性和特性層面起著關(guān)鍵功效。
硅基信號(hào)隔離器怎樣工作中?
根據(jù)硅的隔離技術(shù)根據(jù)CMOS技術(shù)性，由2個(gè)單獨(dú)的集成電路芯片(IC)集成ic-鍵入電源電路和輸出電源電路-根據(jù)緊密連接線聯(lián)接以完成傳輸數(shù)據(jù)，如圖2所顯示。
數(shù)據(jù)信號(hào)隔離器構(gòu)造的截面
數(shù)據(jù)信號(hào)隔離器的鍵入和輸出端(如下圖所示)均必須獨(dú)立的電壓源(VCC1，VCC2)和獨(dú)立的接地線(GND1，GND2)，以維持鍵入和輸出中間的數(shù)據(jù)信號(hào)防護(hù)。將晶體三極管晶體三極管邏輯或CMOS邏輯性鍵入運(yùn)用于數(shù)據(jù)鍵入時(shí)，便會(huì)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)隔離器內(nèi)的通訊。鍵入數(shù)據(jù)信號(hào)被數(shù)字轉(zhuǎn)換為頻域，隨后根據(jù)高壓電容性天然屏障，并越過聯(lián)接鍵合線抵達(dá)接受側(cè)IC。
數(shù)據(jù)信號(hào)隔離器電源電路的導(dǎo)體和絕緣體能夠 是單獨(dú)或2個(gè)二氧化硅(SiO2)電容器性勢(shì)壘，依據(jù)設(shè)計(jì)方案，它能夠 承擔(dān)非常高的工作電壓。因?yàn)榻^緣層天然屏障是由高體積電阻率原材料組成的(請(qǐng)參照表1)，而且是在受嚴(yán)控的晶圓廠中而不是在裝配流水線中生產(chǎn)制造的，因而構(gòu)件中間的差別不大可能產(chǎn)生，而且防護(hù)特性的首要條件是隔離度。“完成髙壓數(shù)據(jù)信號(hào)防護(hù)的品質(zhì)和可信性”討論了這類生產(chǎn)制造加工工藝怎樣在單獨(dú)封裝中出示與2個(gè)基礎(chǔ)隔離級(jí)別等效電路的可信性，抗震和提高防護(hù)。

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