我正在設計一個智能插頭，使用ESP-32和一個機械繼電器，可以在240伏交流電下驅動5A。根據(jù)典型的繼電器驅動電路，我想在單片機和繼電器之間用一個光耦。根據(jù)數(shù)據(jù)表，我用的繼電器是松下(Panasonic)APAN3105，線圈功率低至110mW(5V@22mA)。
典型的繼電器電流驅動電路使用一個連接到晶體管的光耦合器，晶體管反過來驅動繼電器。既然我用的是低線圈功率繼電器，我可以在集電極最大電流范圍內直接從光耦驅動繼電器嗎？這種方法有什么缺點？除了最大集電極電流，還必須考慮電流傳輸比(CTR)、最大LED電流和單片機的輸出驅動能力。
好在ESP-32在最大驅動強度下有40mA的巨大輸出，這可能是必須的，因為標準光耦通常只有50%的最小CTR。為了保證集電極-發(fā)射極飽和電壓低，光耦的LED電流也要比IC/CTR高很多(幾乎兩倍)。
比如光耦繼電器PC817XN的最小CTR為50%，絕對最大LED電流為50mA。沒有增加驅動電流以保持晶體管飽和的余地。既然CTR有50-600%的公差，你可以在樣機上放棄，但不能在生產中放棄。
為了提高使用中的可靠性，你可能希望LED電流保持在25mA以下，然后希望最小CTR在200%左右。所以你應該用PC817X3(等級標志c)或者PC817X4(等級標志d)。
對于大多數(shù)光耦合器繼電器/光耦合器組合，這是不可行的，因為許多繼電器需要比大多數(shù)光隔離器提供的50mA吸電流更多的電流。使用光隔離器驅動另一個NPN可以很好地工作，而不會增加太多成本。
一般你要保證能從微控制器的LED獲得足夠的電流(考慮耦合器的CTR)，但希望你在這個限度內。同樣，確保最大發(fā)射極電壓大于線圈電壓，但在5V時應該很容易。